Parlak M.(Yürütücü), Erçelebi A. Ç., Candan İ., Bayraklı Ö.
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, 2013 - 2013
Bu çal ı şmada CuZnSnTe2 (CZ ST) ince fi lmleri , molubdenyum (M o) ve ti tanyum (Ti ) arka kontak tabakası üzerine
büyütülecekti r, A l t kontak özel l ikleri bakı mı ndan CZ TS için M o ve Ti oldukça uygun malzemelerdi r. Li teratürde veri len
sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(I n,Ga)Se2 fi lmlerden yüksek veriml i aygı tlar elde edi lebi lmektedi r. Buna
rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZ ST fi lmlerin yapı ldı ğı bi r çal ı şma l i teratürde bulunmamaktadı r. DC ve RF maynetik
saçtı rma tekniği i le önce indium tin oxide (I TO), Ti ve M o arka kontak kaplanmı ş cam al ttaşlar üzerine üç farkl ı hedef
Cu, Z nTe, SnTe kul lanı larak CZ ST ince fi lm büyütülmesi planlanmaktadı r. Saçtı rma sisteminde büyütülmüş olan CZ ST
tabakası nı n uygun şartlarda tavlanarak ve gerekl i l ik görüldügünde teleryum eskikl iğinden dolayı yapı ya ekstra
telerizasyon işlemi uygulanacaktı r. Elde edi len CZ ST fi lm tabakası , çeşi tl i tekniklerle karakterize edi lerek stokiyometrik
ve oldukça kal i tel i CZST film büyütme koşulları belirlenecekti r. CZ ST yapı sı nı n oluşumu için gerekl i optimum fi lm
büyütme parametreleri ve telerizasyon sı cakl ı kları bulunacak, bu fi lmlerde ikinci l fazları n oluşmaması na çal ı şı lacaktı r.
A ynı zamanda I TO, Ti ve M o i le CZ ST i le oluşturulacak sandwiç katmanl ı diyot aygı t yapı sı nı n elektriksel ve sı cakl ı k
bağı ml ı I -V karakteristikleri incelenerek aygı t özel l ikleri ve fi lm özel l ikleri karakterize edi lmeye çal ı şı lacaktı r. A yrı ca
üreti len CZ ST fi lmlerin detayl ı yapı sal ve elektriksel karakterizasyonları yapı lacaktı r.