CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi


Parlak M.(Yürütücü), Erçelebi A. Ç., Candan İ., Bayraklı Ö.

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, 2013 - 2013

  • Proje Türü: Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje
  • Başlama Tarihi: Ocak 2013
  • Bitiş Tarihi: Aralık 2013

Proje Özeti

Bu çal ı şmada CuZnSnTe2 (CZ ST) ince fi lmleri , molubdenyum (M o) ve ti tanyum (Ti ) arka kontak tabakası  üzerine

büyütülecekti r, A l t kontak özel l ikleri  bakı mı ndan CZ TS için M o ve Ti  oldukça uygun malzemelerdi r. Li teratürde veri len

sonuçlara göre, Ti  üzerine büyütülen Cu(I n,Ga)Se2 fi lmlerden yüksek veriml i  aygı tlar elde edi lebi lmektedi r. Buna

rağmen Ti  arka kontaklar üzerine CZ ST fi lmlerin yapı ldı ğı  bi r çal ı şma l i teratürde bulunmamaktadı r. DC ve RF maynetik

saçtı rma tekniği  i le önce indium tin oxide (I TO), Ti  ve M o arka kontak kaplanmı ş cam al ttaşlar üzerine üç farkl ı  hedef

Cu, Z nTe, SnTe kul lanı larak CZ ST ince fi lm büyütülmesi  planlanmaktadı r. Saçtı rma sisteminde büyütülmüş olan CZ ST

tabakası nı n uygun şartlarda tavlanarak ve gerekl i l ik görüldügünde teleryum eskikl iğinden dolayı  yapı ya ekstra

telerizasyon işlemi  uygulanacaktı r. Elde edi len CZ ST fi lm tabakası , çeşi tl i  tekniklerle karakterize edi lerek stokiyometrik

ve oldukça kal i tel i  CZST film büyütme koşulları  belirlenecekti r. CZ ST yapı sı nı n oluşumu için gerekl i  optimum fi lm

büyütme parametreleri  ve telerizasyon sı cakl ı kları  bulunacak, bu fi lmlerde ikinci l  fazları n oluşmaması na çal ı şı lacaktı r.

A ynı  zamanda I TO, Ti  ve M o i le CZ ST i le oluşturulacak sandwiç katmanl ı  diyot aygı t yapı sı nı n elektriksel  ve sı cakl ı k

bağı ml ı  I -V  karakteristikleri  incelenerek aygı t özel l ikleri  ve fi lm özel l ikleri  karakterize edi lmeye çal ı şı lacaktı r. A yrı ca

üreti len CZ ST fi lmlerin detayl ı  yapı sal  ve elektriksel  karakterizasyonları  yapı lacaktı r.