CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZ n(Se,S)2 ince filmlerinin Isıl buharlaştırma ve saçtırmalı kaplama teknigiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi

Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, 2014 - 2014

İ nce fi lm amorf si l isyum güneş pi l l lerinde verim %14’ lar civarı nda iken son günlerde popüler

olan Cu(I n,Ga)(Se,S yada Te)2 (CI GS), CI T, CI Se ince fi lm bazl ı güneş pi l lerinde maximum verim %20’ lere ulaşmı ştı r.

Fakat CI GS’de kul lanı lan I n ve Ga gibi elementlerin mal iyetinin yüksekl iği ve doğada az bulunması gibi dezavantaj ları

sebebiyle yeni güneş pi l leri malzemeleri araştı rı lmaktadı r. Özel l ikle ince fi lm CuZ nSnTe2 (CZ ST) ve Cu2Z nSn(Se,S)4

(CZ TS)bazl ı yeni nesi l güneş pi l lerinin büyük potansiyele sahip olacagı düşünülmektedi r. CZ ST di rek bant aral ı kl ı

yarı i letken olup, soğurma katsayı sı 104 cm-1 in üzerinde, yasak band aral ı ğı ise 1.45-1.6 eV civarı ndadı r. Bu değerler

ideal güneş pi l i için gereken değerlere çok yakı ndı r. Şimdiye kadar üzerinde çok çal ı şma yapı lmamı ş olması na karşı n

diğer ternary bi leşikler için yapı lan çal ı şmalar ve uygulanan üretim teknikleri göz önüne al ı ndı ğı nda termal buharlaştı rma

ve saçtı rma yöntemi i le üreti len CZ TS ince fi lm yapı sı nı n oluşturulması için uygun olacagı düşünülmektedi r. Bu

çalışmada Cu(Z n,Sn)(Se,S yadaTe)2 (CZ TS, CZ S, CTS) ince fi lmleri , Molubdenyum (M o) ve indiyum kalay oksi t (I TO)

kapl ı cam tabakalar üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından ternary bileşikler için M o ve Ti oldukça

uygun malzemelerdir. Literatürde veri len sonuçlara göre, Ti ve M o üzerine büyütülen fi lmlerden yüksek verimli aygıtlar

elde edilebilmektedir.