Fabrication and investigation of CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZ n(Se,S)2 thin film properties by utilazing thermal evaporation and sputtering techniques. lenmesi


Parlak M.(Executive), Erçelebi A. Ç. , Candan İ.

Project Supported by Higher Education Institutions, 2014 - 2014

  • Project Type: Project Supported by Higher Education Institutions
  • Begin Date: January 2014
  • End Date: December 2014

Project Abstract

İ nce fi lm amorf si l isyum güneş pi l l lerinde verim %14’ lar civarı nda iken son günlerde popüler

olan Cu(I n,Ga)(Se,S yada Te)2 (CI GS), CI T, CI Se ince fi lm bazl ı  güneş pi l lerinde maximum verim %20’ lere ulaşmı ştı r.

Fakat CI GS’de kul lanı lan I n ve Ga gibi  elementlerin mal iyetinin yüksekl iği  ve doğada az bulunması  gibi  dezavantaj ları

sebebiyle yeni  güneş pi l leri  malzemeleri  araştı rı lmaktadı r. Özel l ikle ince fi lm CuZ nSnTe2 (CZ ST) ve Cu2Z nSn(Se,S)4

(CZ TS)bazl ı  yeni  nesi l  güneş pi l lerinin büyük potansiyele sahip olacagı  düşünülmektedi r. CZ ST di rek bant aral ı kl ı

yarı i letken olup, soğurma katsayı sı  104 cm-1 in üzerinde, yasak band aral ı ğı  ise 1.45-1.6 eV  civarı ndadı r. Bu değerler

ideal  güneş pi l i  için gereken değerlere çok yakı ndı r. Şimdiye kadar üzerinde çok çal ı şma yapı lmamı ş olması na karşı n

diğer ternary bi leşikler için yapı lan çal ı şmalar ve uygulanan üretim teknikleri  göz önüne al ı ndı ğı nda termal  buharlaştı rma

ve saçtı rma yöntemi  i le üreti len CZ TS ince fi lm yapı sı nı n oluşturulması  için uygun olacagı  düşünülmektedi r. Bu

çalışmada Cu(Z n,Sn)(Se,S yadaTe)2 (CZ TS, CZ S, CTS) ince fi lmleri , Molubdenyum (M o) ve indiyum kalay oksi t (I TO)

kapl ı  cam tabakalar üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri  bakımından ternary bileşikler için M o ve Ti  oldukça

uygun malzemelerdir. Literatürde veri len sonuçlara göre, Ti  ve M o üzerine büyütülen fi lmlerden yüksek verimli  aygıtlar

elde edilebilmektedir.