Bu çalışmada, farklı anodizasyon sürelerinde üretilmiş gözenekli silisyumun (PS), havada foto-yaşlanması (PA) sonucu fotolüminesans (PL) spektrumunda ve yüzey kimyasal yapısında meydana gelen değişimler ele alınmıştır. PS'nin yüzey kimyasal yapısı ile lüminesansı arasında açık bir ilişkinin var olduğu gözlenmiştir. Foto-yaşlanma, PL spektrum tepesinde yüksek enerji kaymasına neden olurken, PL spektrum şiddetinde ise, sürekli azalma veya önce azalma sonra artma şeklinde iki farklı etkisinin olduğu tespit edilmiştir. Elde edilen sonuçlar, hidrojen atomlarının PS yüzeyinden ayrılması ve yüzey durumları ile desteklenmiş kuantum tutulma modeli ile açıklanmıştır.
In this study, it was investigated changes in both photoluminescence spectrum and surface chemical structures of porous silicon produced in different anodisation times due to photo-ageing in air. It was observed a clear relation between surface chemical structure and photoluminescence of porous silicon. While photo-ageing causes a blue-shift in PL spectrum peak, it causes either a continuous decrease or first a decrease and then an increase in PL spectrum intensity. The obtained results were explained with hydrogen atoms that left PS surface and quantum confinement model influenced by surface states.
